По конструктивно-технологическому принципу различают диоды точечные и плоскостные. У точечных диодов переход образуется в месте контакта полупроводниковой пластины с острием металлической иглы. У плоскостных диодов р—я переход образуется на границе раздела двух слоев полупроводника с электропроводимостью разных типов. Плоскостные диоды позволяют пропускать значительно большие токи, чем точечные, однако они имеют повышенную междуэлектродную емкость, что ограничивает их применение для работы в диапазоне высоких частот. При помощи специальных технологических приемов изготавливают плоскостные диоды с очень малой площадью переходов — микроплоскостные и диффузионные меза-диоды. В них сочетаются достоинства плоскостных и точечных диодов. Для изготовлениядиодов используют германий, кремний, арсенид и фосфид галлия. Германиевые диоды работают при температурах не выше 70° С, кремниевые — не более 125... 150 1 С.Обозначение типа полупроводниковых диодов состоит из нескольких элементов. Первый элемент обозначает исходный материал, из которого изготовлен прибор: германий или его соединения— Г; кремний или его соединения — К; соединения галлия — А. Для приборов, используемых в устройствах специального назначения, установлены следующие обозначения исходного материала: германий или его соединения — 1-; кремний или его соединения — 2; соединения галлия — 3. Второй элемент — класс прибора: диоды выпрямительные, универсальные, импульсные — Д; выпрямитель^ ные столбы и блоки — Ц; диоды сверхвысокочастотные — А; варикапы — В; диоды туннельные и туннельные обращенные — И; диоды излучающие — Л; генераторы шума — Г; приборы с объемным эффектом (приборы Ганна) — Б; стабилизаторы тока — Импульсные диоды предназначены для преобразования импульсных сигналов (в детекторах видеосигналов телевизионных приемников, ключевых и логических устройствах и др.)- В основном используются точечные диоды.
Основные параметры. Импульсное прямое напряжение £/1ф и — пиковое прямое напряжение на диоде при заданном импульсе прямого тока. Импульсное обратное напряжение Uo6pa— пиковое "обратное напряжение на диоде, включая как однократные выбросы,' так и периодически повторяющиеся." Общая емкость диода С — емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении и частоте. Время установления прямого напряжения т ст— интервал времени с момента подачи импульса прямого тока на диод (при нулевом напряжении смещения) до достижения заданного прямого напряжения на диоде. Время восстановления обратного сопротивления твг,с — интервал времени с момента прохождения тока через нуль после переключения диода из состояния заданного тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения заданного обратного тока. Заряд переключения QnK — часть накопленного заряда, вытекающего во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное.
Максимально допустимые параметры. К ним относятся: максимально допустимый импульсный прямой ток щ>.итах' максимальная и минимальная рабочие температуры. Основные параметры импульсных диодов.
Стабилитроны и стабисторы предназначены для стабилизации уровня напряжения при изменении протекающего через диод тока У стабилитронов рабочим является пробойный участок вольт-ампер
